در این مقاله یک ضرب کننده SI [1]چهار ربعی مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای MOS که در ناحیه اشباع کار ميکنند طراحی شده است. ضرب کننده جریان شامل دو سلول دو برابر کننده و دو سلول حافظه است. مدار با منابع ولتاژ 3V کار ميکند. مدار دارای محدوده دینامیکی بالا است و دارای اعوجاج هارمونیک کل [2]کم است. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از شبیه سازی با HSPICE با تکنولوژی 0.5µm انجام شده است. شامل 13 صفحه فایل word قابل ویرایش ...
در این مقاله یک ضرب کننده SI [1]چهار ربعی مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای MOS که در ناحیه اشباع کار ميکنند طراحی شده است. ضرب کننده جریان شامل دو سلول دو برابر کننده و دو سلول حافظه است. مدار با منابع ولتاژ 3V کار ميکند. مدار دارای محدوده دینامیکی بالا است و دارای اعوجاج هارمونیک کل [2]کم است. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از شبیه سازی با HSPICE با تکنولوژی 0.5µm انجام شده است. شامل 13 صفحه فایل word قابل ویرایش ...